Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IRS21814M

600 V high-side and low-side gate driver IC 

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IRS21814M
IRS21814M

Product details

  • VBS UVLO (On)
    8.9 V
  • VBS UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    8.9 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • アイソレーション タイプ
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
  • コンフィギュレーション
    High-side and low-side
  • チャネル
    2
  • 伝搬遅延オフ
    220 ns
  • 伝搬遅延オン
    180 ns
  • 入力 Vcc
    10 V to 20 V
  • 出力電流 (Source)
    1.9 A
  • 出力電流 (Sink)
    2.3 A
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    600 V
OPN
IRS21814MTRPBF
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 N/A
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 2
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 -
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 2
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
600 V High and Low Side Driver IC with typical 1.9 A source and 2.3 A sink currents in MLPQ 4X4 14L package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 14 Lead PDIP, 14 Lead SOIC, 8 Lead SOIC, and 8 Lead PDIP.For the new version with our SOI technology we recommend 2ED21814S06J , providing integrated bootstrap diode, better robustness and higher switching frequency

機能

  • Floating channel for bootstrap op.
  • Fully operational to +600 V
  • dV/dt immune
  • Gate drive supply: 10 V to 20 V
  • Undervolt. lockout for both channel
  • 3.3 V and 5 V input logic compatib.
  • Matched prop. delay for both chan.
  • Logic & power ground +/- 5 V offset
  • Lower di/dt gate driver
  • Output source capability 1.4 A
  • Output sink capability 1.8 A

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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