IRS2109

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600 V half-bridge gate driver IC with shutdown
データシート

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IRS2109
IRS2109
データシート

製品仕様情報

  • VBS UVLO (Off)
    8.2 V
  • VBS UVLO (On)
    8.9 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    8.9 V
  • アイソレーション タイプ
    Functional levelshift
  • コンフィギュレーション
    Half-Bridge
  • チャネル
    2
  • 伝搬遅延オフ
    200 ns
  • 伝搬遅延オン
    750 ns
  • 入力 Vcc 範囲
    10 V～20 V
  • 出力電流 (Source)
    0.29 A
  • 出力電流 (Sink)
    0.6 A
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    600 V
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
600 V Half Bridge Driver IC with typical 0.29 A source and 0.6 A sink currents in 8 Lead PDIP package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead SOIC, 14 Lead SOIC, 14 Lead PDIP.For the new version with our SOI technology we recommend 2ED2109S06F , providing integrated bootstrap diode, better robustness and higher switching frequency

特長

  • Floating driver for bootstrap op.
  • Fully operational to +600 V
  • Tolerant to neg. transient volt.
  • dV/dt immune
  • Gate drive supply: 10 V to 20 V
  • Undervolt. lockout for both channel
  • 3.3, 5 & 15 V input logic compat.
  • Cross-conduction prevention logic
  • Matched prop. delay for both chan.
  • Highside out. in phase with HIN in.
  • Logic & power ground +/- 5 V offset
  • Internal 540 ns deadtime

アプリケーション

図

Circuit_Diagramm_IRS2109
Circuit_Diagramm_IRS2109
Circuit_Diagramm_IRS2109 Circuit_Diagramm_IRS2109 Circuit_Diagramm_IRS2109
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ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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