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IRHYS9A7234CM

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IRHYS9A7234CM
IRHYS9A7234CM
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R9
  • ID (@100°C) max
    10.5 A
  • ID (@25°C) max
    17 A
  • QG
    34 nC
  • QPL型番
    2N7649T3
  • RDS (on) (@25°C) max
    110 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO257-3
パッケージ坝 TO-257AA LOW OHMIC
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン N/A
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO257-3
パッケージ坝 TO-257AA LOW OHMIC
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
The IRHYS9A7234CM R9 N-channel MOSFET is a rad hard device suitable for space applications with improved immunity to Single Event Effects (SEE). The device has a maximum voltage of 250V and can handle a current of up to 17A. With low RDS(on) and faster switching times, it reduces power losses and increases power density in high-speed switching applications. Its electrical performance can withstand Linear Energy Transfer (LET) up to 90MeV·cm2/mg.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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