IRHYS9A7234CM
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IRHYS9A7234CM

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IRHYS9A7234CM
IRHYS9A7234CM
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R9
  • ID (@100°C) (最大)
    10.5 A
  • ID (@25°C) (最大)
    17 A
  • QG
    34 nC
  • QPL型番
    2N7649T3
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    110 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
The IRHYS9A7234CM R9 N-channel MOSFET is a rad hard device suitable for space applications with improved immunity to Single Event Effects (SEE). The device has a maximum voltage of 250V and can handle a current of up to 17A. With low RDS(on) and faster switching times, it reduces power losses and increases power density in high-speed switching applications. Its electrical performance can withstand Linear Energy Transfer (LET) up to 90MeV·cm2/mg.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ