IRHNS7460SESCS
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IRHNS7460SESCS
IRHNS7460SESCS

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) (最大)
    12 A
  • ID (@25°C) (最大)
    20 A
  • QG
    220 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    320 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    500 V
  • VF (最大)
    1.8 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SupIR-SMD
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
This R4 N-channel MOSFET in a SupIR-SMD package is a rad hard, 500V, 12A device for space applications. Its IR HiRel rad hard HEXFET technology provides high performance and reliability in satellite applications, with low RDS(on) and low gate charge for reduced power losses. Characterized for both Total Dose and Single Event Effects (SEE), this QIRL device offers electrical performance up to 100krad(Si) TID.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ