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IRHNS7460SESCS

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IRHNS7460SESCS
IRHNS7460SESCS
データシート

Product details

  • ESD Class
    Class 3B
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) max
    12 A
  • ID (@25°C) max
    20 A
  • QG
    220 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    320 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    500 V
  • VF max
    1.8 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100
  • Configuration
    Discrete
  • Die Size
    6
  • Package
    SupIR-SMD
  • Polarity
    N
  • Qualification
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-SOG-3
パッケージ名 SUPIR SMD
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-SOG-3
パッケージ名 SUPIR SMD
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
This R4 N-channel MOSFET in a SupIR-SMD package is a rad hard, 500V, 12A device for space applications. Its IR HiRel rad hard HEXFET technology provides high performance and reliability in satellite applications, with low RDS(on) and low gate charge for reduced power losses. Characterized for both Total Dose and Single Event Effects (SEE), this QIRL device offers electrical performance up to 100krad(Si) TID.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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