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IRHNS7460SESCS

データシート
パッケージ

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IRHNS7460SESCS
IRHNS7460SESCS
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) max
    12 A
  • ID (@25°C) max
    20 A
  • QG
    220 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    320 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    500 V
  • VF max
    1.8 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SupIR-SMD
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
This R4 N-channel MOSFET in a SupIR-SMD package is a rad hard, 500V, 12A device for space applications. Its IR HiRel rad hard HEXFET technology provides high performance and reliability in satellite applications, with low RDS(on) and low gate charge for reduced power losses. Characterized for both Total Dose and Single Event Effects (SEE), this QIRL device offers electrical performance up to 100krad(Si) TID.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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