IRHNS7460SE
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IRHNS7460SE

データシート
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IRHNS7460SE
IRHNS7460SE
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) (最大)
    12 A
  • ID (@25°C) (最大)
    20 A
  • QG
    220 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    320 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    500 V
  • VF (最大)
    1.8 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SupIR-SMD
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
C-SOG-3
パッケージ名 SUPIR SMD
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
C-SOG-3
パッケージ名 SUPIR SMD
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The IRHNS7460SE SupIR-SMD N-channel MOSFET is a rad hard, 500V, 12A device for space applications. Its IR HiRel rad hard HEXFET technology provides high performance and reliability in satellite applications, with low RDS(on) and low gate charge for reduced power losses. Characterized for both Total Dose and Single Event Effects (SEE), this COTS device, IRHNS7460SE offers electrical performance up to 100krad(Si) TID.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ