IRHNMC57110
新規設計非推奨

IRHNMC57110

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
データシート
パッケージ

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IRHNMC57110
IRHNMC57110
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1A
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    4.4 A
  • ID (@25°C) (最大)
    6.9 A
  • QG
    15 nC
  • QPL型番
    2N7503U8
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    220 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    SMD-0.2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V

OPN
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.2 Ceramic Lid
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.2 Ceramic Lid
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHNMC57110 is a rad hard R9 N-channel MOSFET in a SMD-0.2 package. With a voltage rating of 100V and a current rating of 6.9A, this single MOSFET is designed for space applications. This COTS part has electrical performance up to 100krad(TID). Low RDS(on) and fast switching times reduce power losses and increase power density, while retaining MOSFET benefits such as voltage control and fast switching.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ