IRHNJ67130A
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IRHNJ67130A

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IRHNJ67130A
IRHNJ67130A
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    19 A
  • ID (@25°C) (最大)
    22 A
  • QG
    50 nC
  • QPL型番
    2N7587U3
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    42 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
The rad hard N-channel MOSFET IRHNJ67130A in a SMD-0.5 package provides superior power for high speed switching applications, with 200V and 16A capacity. With improved SEE immunity and electrical performance up to 100krad (Si) TID, it is ideal for space applications. Its very low RDS(on) and faster switching times increase power density and reduce power loss. This COTS R6 MOSFET is a proven choice in satellite power system designs.
  • IRHNJ67130: SMD-0.5, COTS, 100 krad (Si)
  • IRHNJ67130SCS: SMD-0.5, S-Level, 100 krad (Si)
  • JANSR2N7587U3: SMD-0.5, JANS, 100 krad (Si)
  • IRHNJ63130: SMD-0.5, COTS, 300 krad (Si)
  • JANSF2N7587U3: SMD-0.5, JANS, 300 krad (Si)

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ