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IRHNJ63C30SCS

データシート
パッケージ

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IRHNJ63C30SCS
IRHNJ63C30SCS
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) max
    2.2 A
  • ID (@25°C) max
    3.4 A
  • QG
    52 nC
  • QPL型番
    2N7598U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    2900 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    600 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHNJ63C30SCS R6 MOSFET is a rad hard, single N-channel device with a 600V and 3.4A capacity, packaged in a SMD-0.5 package. It offers electrical performance up to 300krad(Si) TID and is QIRL space-qualified. Its very low RDS(on) and faster switching times make it ideal for high-speed switching applications, while retaining MOSFET advantages such as voltage control and temperature stability.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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