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IRHNJ53Z30

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IRHNJ53Z30
IRHNJ53Z30
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    22 A
  • ID (@25°C) max
    22 A
  • QG
    65 nC
  • QPL型番
    2N7479U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    20 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    30 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ坝 SMD-0.5 Metal Lid
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン N/A
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ坝 SMD-0.5 Metal Lid
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
The rad hard R5 N-channel MOSFET, IRHNJ53Z30, comes in a SMD-0.5 package. This COTS device is rated to 30V and 22A for space applications like DC-DC converters and motor control. Electrical performance is up to 300krad(Si) TID, with proven reliability and with low RDS(on) and gate charge. Voltage control, fast switching, and temperature stability, make it an ideal choice for space applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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