Active and preferred

IRHNA7460SESCS

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHNA7460SESCS
IRHNA7460SESCS
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) max
    12 A
  • ID (@25°C) max
    20 A
  • QG
    220 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    320 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    500 V
  • VF max
    1.8 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-2 standard
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-2 standard
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The R4 N-channel MOSFET is a single, rad hard, 500V, 12A device with electrical performance up to 100krad(Si) TID. IRHNA7460SESCS comes in a SMD-2 package and uses rad hard HEXFET technology, making it perfect for high-performance power MOSFETs in space applications. Low RDS(on) and gate charge reduce power losses in switching applications, such as DC-DC converters and motor control. Its QIRL space-grade rating ensures quality and reliability.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }