IRHNA7460SESCS
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IRHNA7460SESCS

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IRHNA7460SESCS
IRHNA7460SESCS
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) (最大)
    12 A
  • ID (@25°C) (最大)
    20 A
  • QG
    220 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    320 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    500 V
  • VF (最大)
    1.8 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-2 standard
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-2 standard
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The R4 N-channel MOSFET is a single, rad hard, 500V, 12A device with electrical performance up to 100krad(Si) TID. IRHNA7460SESCS comes in a SMD-2 package and uses rad hard HEXFET technology, making it perfect for high-performance power MOSFETs in space applications. Low RDS(on) and gate charge reduce power losses in switching applications, such as DC-DC converters and motor control. Its QIRL space-grade rating ensures quality and reliability.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ