IRHNA7360SESCSA
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RoHS対応

IRHNA7360SESCSA

データシート
パッケージ

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IRHNA7360SESCSA
IRHNA7360SESCSA
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) (最大)
    15 A
  • ID (@25°C) (最大)
    24 A
  • QG
    250 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    200 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    400 V
  • VF (最大)
    1.4 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
The R4 rad hard IRHNA7360SESCSA is a high-performance N-channel MOSFET designed for space applications. With rad hard design, 400V/15A rating, and SMD-2 package, this QIRL classified device offers low RDS(on) and gate charge, minimizing switching power losses. It also features MOSFET favorites like voltage control, fast switching, and temperature stability. The lead attachment enhances its reliability.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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