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IRHNA7360SESCSA

データシート
パッケージ

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IRHNA7360SESCSA
IRHNA7360SESCSA
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) max
    15 A
  • ID (@25°C) max
    24 A
  • QG
    250 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    200 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    400 V
  • VF max
    1.4 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ坝 SMD-2 with leads, Au finish
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン N/A
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ坝 SMD-2 with leads, Au finish
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
The R4 rad hard IRHNA7360SESCSA is a high-performance N-channel MOSFET designed for space applications. With rad hard design, 400V/15A rating, and SMD-2 package, this QIRL classified device offers low RDS(on) and gate charge, minimizing switching power losses. It also features MOSFET favorites like voltage control, fast switching, and temperature stability. The lead attachment enhances its reliability.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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