IRHNA6S7160SCS

データシート

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IRHNA6S7160SCS
IRHNA6S7160SCS
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    56 A
  • ID (@25°C) (最大)
    56 A
  • QG
    170 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    10 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
The IRHNA6S7160SCS R6 N-channel MOSFET is a 100V, 56A, radiation-hardened device in a SMD-2 package. With electrical performance up to 100krad(Si) TID and LET of 90 MeV·cm2/mg, it is designed for space applications. Low RDS(on) and gate charge reduce power losses in DC-DC converters and motor controllers. Voltage control, fast switching, and temperature stability make this MOSFET ideal in high-reliability applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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