IRHNA6S7160

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IRHNA6S7160
IRHNA6S7160

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    56 A
  • ID (@25°C) (最大)
    56 A
  • QG
    170 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    10 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
A single rad hard N-channel MOSFET in a SMD-2 package, the IRHNA6S7160 has a voltage rating of 100V and a current rating of 56A. With electrical performance up to 100krad (Si) TID, this R6 device delivers has low RDS(on) and low gate charge for reduced power losses in switching applications. LET rated at 90 MeV·cm2/mg.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ