IRHNA6S7160

データシート

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IRHNA6S7160
IRHNA6S7160
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) max
    56 A
  • ID (@25°C) max
    56 A
  • QG
    170 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    10 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
A single rad hard N-channel MOSFET in a SMD-2 package, the IRHNA6S7160 has a voltage rating of 100V and a current rating of 56A. With electrical performance up to 100krad (Si) TID, this R6 device delivers has low RDS(on) and low gate charge for reduced power losses in switching applications. LET rated at 90 MeV·cm2/mg.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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