IRHN57250SESCS
Active and preferred

IRHN57250SESCS

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHN57250SESCS
IRHN57250SESCS
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    19 A
  • ID (@25°C) (最大)
    31 A
  • QG
    132 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    60 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    5
  • パッケージ
    SMD-1
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
The IRHN57250SESCS R5 N-channel MOSFET is a 200V, 31A rad hard device for space applications. Featuring low RDS(on) and a low gate charge, it reduces power losses and maintains established MOSFET benefits such as voltage control, fast switching, and temperature stability. Characterized for SEE up to LET 80 MeV·cm2/mg with a QIRL classification, it is available in a SMD-1 package.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ