IRHMS6S7264SCS

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IRHMS6S7264SCS
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製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    28.5 A
  • ID (@25°C) (最大)
    45 A
  • QG
    220 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    41 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 認定
    QIRL
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHMS6S7264SCS R6 N-channel MOSFET is a QIRL-grade, rad hard MOSFET for space applications with 200V and 45A. Its low RDS(on) and gate charge reduce power losses in switching applications like DC-DC converters and motor controllers. Retaining all advantages of MOSFETs, this device is characterized for Total Dose and Single Event Effect up to LET of 90 MeV·cm2/mg.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ