IRHMS6S7160

データシート

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IRHMS6S7160
IRHMS6S7160
データシート

Product details

  • ESD Class
    Class 3A
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) max
    45 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    170 C
  • RDS (on) (@25°C) max
    11 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Configuration
    Discrete
  • Die Size
    6
  • Package
    TO-254AA Low Ohmic
  • Polarity
    N
  • Qualification
    COTS
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHMS6S7160 R6 N-channel MOSFET is a rad hard MOSFET for space applications, featuring 100V and 45A. With low RDS(on) and low gate charge, it reduces power losses in switching applications. It's characterized for Total Dose and Single Event Effect up to LET of 90 MeV·cm2/mg. This MOSFET retains all advantages of MOSFETs including voltage control, fast switching, and temperature stability, and is COTS rated.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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