IRHMS6S7160

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHMS6S7160
IRHMS6S7160


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    45 A
  • ID (@25°C) (最大)
    45 A
  • QG
    170 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    11 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS

OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IRHMS6S7160 R6 N-channel MOSFET is a rad hard MOSFET for space applications, featuring 100V and 45A. With low RDS(on) and low gate charge, it reduces power losses in switching applications. It's characterized for Total Dose and Single Event Effect up to LET of 90 MeV·cm2/mg. This MOSFET retains all advantages of MOSFETs including voltage control, fast switching, and temperature stability, and is COTS rated.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ