IRHMS67260SCV
Active and preferred

IRHMS67260SCV

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHMS67260SCV
IRHMS67260SCV
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    35 A
  • ID (@25°C) (最大)
    45 A
  • QG
    230 nC
  • QPL型番
    2N7584T1
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    29 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
M-TO254-3
パッケージ名 TO-254AA LOW OHMIC
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
M-TO254-3
パッケージ名 TO-254AA LOW OHMIC
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The IRHMS67260SCV R6 N-channel MOSFET is designed for space applications, with a maximum voltage of 200V and maximum current of 45A. Its radiation-hardened technology allows for electrical performance up to 100krad(Si) TID, and it has been characterized for both Total Dose and Single Event Effects (SEE) with useful performance up to LET of 90 MeV·cm2/mg. The MOSFET's low RDS(on) and low gate charge make it ideal for DC-DC converters.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ