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IRHMS67260SCV

データシート
パッケージ

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IRHMS67260SCV
IRHMS67260SCV
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    35 A
  • ID (@25°C) (最大)
    45 A
  • QG
    230 nC
  • QPL型番
    2N7584T1
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    29 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
The IRHMS67260SCV R6 N-channel MOSFET is designed for space applications, with a maximum voltage of 200V and maximum current of 45A. Its radiation-hardened technology allows for electrical performance up to 100krad(Si) TID, and it has been characterized for both Total Dose and Single Event Effects (SEE) with useful performance up to LET of 90 MeV·cm2/mg. The MOSFET's low RDS(on) and low gate charge make it ideal for DC-DC converters.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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