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IRHMS67260SCV

データシート
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IRHMS67260SCV
IRHMS67260SCV
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) max
    35 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    230 nC
  • QPL型番
    2N7584T1
  • RDS (on) (@25°C) max
    29 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO254-3
パッケージ坝 TO-254AA LOW OHMIC
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン N/A
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO254-3
パッケージ坝 TO-254AA LOW OHMIC
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
The IRHMS67260SCV R6 N-channel MOSFET is designed for space applications, with a maximum voltage of 200V and maximum current of 45A. Its radiation-hardened technology allows for electrical performance up to 100krad(Si) TID, and it has been characterized for both Total Dose and Single Event Effects (SEE) with useful performance up to LET of 90 MeV·cm2/mg. The MOSFET's low RDS(on) and low gate charge make it ideal for DC-DC converters.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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