IRHLNM87Y20SCS
新規設計非推奨

IRHLNM87Y20SCS

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
データシート
パッケージ

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IRHLNM87Y20SCS
IRHLNM87Y20SCS
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R8
  • ID (@100°C) (最大)
    17 A
  • ID (@25°C) (最大)
    17 A
  • QG
    26 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    15 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    20 V
  • VF (最大)
    1 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1.7
  • パッケージ
    SMD-0.2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHLNM87Y20SCS is a single N-channel MOSFET in a SMD-0.2 package, with a rad hard design that can handle up to 100krad(Si) TID. With a 20V and 17A rating, it provides a solution to interfacing CMOS and TTL control circuits to power devices in space. The device maintains single event gate rupture and single event burnout immunity, making it ideal for interfacing directly with logic gates and micro-controllers that operate from a 3.3-5V source.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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