IRHLNM73110
新規設計非推奨

IRHLNM73110

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHLNM73110
IRHLNM73110

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R7
  • ID (@100°C) (最大)
    4.1 A
  • ID (@25°C) (最大)
    6.5 A
  • QG
    11 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    290 mΩ
  • TID (最大)
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    SMD-0.2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHLNM73110 rad hard N-channel MOSFET is a single MOSFET with 100V and 6.5A rating in SMD-0.2 package. The IR HiRel R7 technology provides electrical performance up to 300krad(Si) TID with COTS classification. The low RDS(on) and gate charge reduce power losses in switching applications. Ideal for space applications with voltage control, fast switching and temperature stability.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }