IRHLMS77064
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IRHLMS77064
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データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R7
  • ID (@100°C) (最大)
    45 A
  • ID (@25°C) (最大)
    45 A
  • QG
    162 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    12 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
The IR R7 MOSFET is a single N-channel device with a TO-254AA low ohmic package designed for use in rad hard environments. It can handle 60V and 45A while maintaining single event gate rupture and burnout immunity. With electrical performance up to 100krad(Si) TID classification, it provides a simple solution for interfacing CMOS and TTL control circuits to power devices in space and other radiation environments.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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