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IRHLMS77064

データシート
パッケージ

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IRHLMS77064
IRHLMS77064
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R7
  • ID (@100°C) max
    45 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    162 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    12 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
The IR R7 MOSFET is a single N-channel device with a TO-254AA low ohmic package designed for use in rad hard environments. It can handle 60V and 45A while maintaining single event gate rupture and burnout immunity. With electrical performance up to 100krad(Si) TID classification, it provides a simple solution for interfacing CMOS and TTL control circuits to power devices in space and other radiation environments.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }