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IRHF67230

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パッケージ

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IRHF67230
IRHF67230
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    5.7 A
  • ID (@25°C) (最大)
    9.1 A
  • QG
    45 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    145 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHF67230 R6 N-channel MOSFET is a rad hard device for space applications. With a rating of 200V and 9.1A, it provides high performance, low RDS(on), and gate charge, reducing power losses in switching applications. It has electrical stability up to 100krad(Si) TID classification, making it ideal for DC-DC converters and motor controllers.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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