IRHF67230
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IRHF67230

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パッケージ

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IRHF67230
IRHF67230
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    5.7 A
  • ID (@25°C) (最大)
    9.1 A
  • QG
    45 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    145 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHF67230 R6 N-channel MOSFET is a rad hard device for space applications. With a rating of 200V and 9.1A, it provides high performance, low RDS(on), and gate charge, reducing power losses in switching applications. It has electrical stability up to 100krad(Si) TID classification, making it ideal for DC-DC converters and motor controllers.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ