IRHF67130SCS
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IRHF67130SCS
IRHF67130SCS
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    12 A
  • ID (@25°C) (最大)
    12 A
  • QG
    54 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    65 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    N
  • 認定
    QIRL

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHF67130SCS N-channel MOSFET is a radiation-hardened device with QIRL classification, ideal for space applications. 100V and 12A rating, low RDS(on) and gate charge, and electrical stability up to 100krad(Si) TID make it perfect for DC-DC converters and motor controllers. Single Event Effects performance up to LET of 90 MeV·cm2/mg ensures high performance in harsh environments.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ