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IRHF67130

データシート
パッケージ

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IRHF67130
IRHF67130
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    12 A
  • ID (@25°C) (最大)
    12 A
  • QG
    54 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    65 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHF67130 R6 N-channel MOSFET is a radiation-hardened device for space applications. With 100V and 12A rating, it provides high performance and low RDS(on) and gate charge. It is electrically stable up to 100krad(Si) TID and has COTS classification, making it ideal for DC-DC converters and motor controllers. LET of 90 MeV·cm2/mg provides high performance for Single Event Effects.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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