IRHF67130
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IRHF67130
IRHF67130
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    12 A
  • ID (@25°C) (最大)
    12 A
  • QG
    54 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    65 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHF67130 R6 N-channel MOSFET is a radiation-hardened device for space applications. With 100V and 12A rating, it provides high performance and low RDS(on) and gate charge. It is electrically stable up to 100krad(Si) TID and has COTS classification, making it ideal for DC-DC converters and motor controllers. LET of 90 MeV·cm2/mg provides high performance for Single Event Effects.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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