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IRHF593130

データシート
パッケージ

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IRHF593130
IRHF593130
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    -4.3 A
  • ID (@25°C) max
    -6.7 A
  • QG
    40 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    240 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • VF max
    -5 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    P
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHF593130 is a R5, rad hard, -100V, -6.7A, single, P-channel MOSFET in a TO-205AF package. Its rad hard design and electrical performance up to 300krad(Si) TID make it a reliable choice for space applications. In addition to its low gate charge, which reduces power loss in switching applications, it retains the advantages of MOSFETs such as voltage control and fast switching.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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