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IRFYB9130CM

データシート
パッケージ

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IRFYB9130CM
IRFYB9130CM
データシート

Product details

  • ID (@100°C) max
    -7.1 A
  • ID (@25°C) max
    -11.2 A
  • RDS (on) (@25°C) max
    300 mΩ
  • VBRDSS min
    100 V
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA Tabless Low Ohmic
  • 極性
    P
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル NA
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル NA
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IRFYB9130CM is a high reliability, 100V, single, N-channel MOSFET in a TO-257AA Tabless low ohmic package, with a ceramic eyelet. It utilizes HEXFET MOSFET technology to achieve low on-state resistance, high transconductance, and superior reverse energy and diode recovery dv/dt capability. Ideal for power supplies, motor controls, choppers, audio amplifiers, and other high-energy pulse circuit applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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