IRFYB9130CM
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IRFYB9130CM

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パッケージ

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IRFYB9130CM
IRFYB9130CM
データシート

製品仕様情報

  • ID (@100°C) (最大)
    -7.1 A
  • ID (@25°C) (最大)
    -11.2 A
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    300 mΩ
  • VBRDSS (最小)
    100 V
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA Tabless Low Ohmic
  • 極性
    P
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRFYB9130CM is a high reliability, 100V, single, N-channel MOSFET in a TO-257AA Tabless low ohmic package, with a ceramic eyelet. It utilizes HEXFET MOSFET technology to achieve low on-state resistance, high transconductance, and superior reverse energy and diode recovery dv/dt capability. Ideal for power supplies, motor controls, choppers, audio amplifiers, and other high-energy pulse circuit applications.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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