IRFYB9130CM
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IRFYB9130CM

データシート
パッケージ

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IRFYB9130CM
IRFYB9130CM
データシート


製品仕様情報

  • ID (@100°C) (最大)
    -7.1 A
  • ID (@25°C) (最大)
    -11.2 A
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    300 mΩ
  • VBRDSS (最小)
    100 V
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA Tabless Low Ohmic
  • 極性
    P

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No
組立国
MX
ウェハ製造国
US

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MX
ウェハ製造国
US
IRFYB9130CM is a high reliability, 100V, single, N-channel MOSFET in a TO-257AA Tabless low ohmic package, with a ceramic eyelet. It utilizes HEXFET MOSFET technology to achieve low on-state resistance, high transconductance, and superior reverse energy and diode recovery dv/dt capability. Ideal for power supplies, motor controls, choppers, audio amplifiers, and other high-energy pulse circuit applications.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ