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IRFY9130C

データシート

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IRFY9130C
IRFY9130C
データシート

Product details

  • ID (@100°C) max
    -7.1 A
  • ID (@25°C) max
    -11.2 A
  • RDS (on) (@25°C) max
    300 mΩ
  • VBRDSS min
    -100 V
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • パッケージ
    TO-257AA
  • 極性
    P
推奨
OPN
IRFY9130CEPSA1
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ M-TO257-3
パッケージ坝 N/A
包装サイズ 1
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスポャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ M-TO257-3
パッケージ坝 -
包装サイズ 1
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスポャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
IRFY9130C is a high reliability, -100V, single, P-channel MOSFET in a TO-257AA package, with a ceramic eyelet. It utilizes HEXFET MOSFET technology to achieve low on-state resistance, high transconductance, and superior reverse energy and diode recovery dv/dt capability. Ideal for power supplies, motor controls, choppers, audio amplifiers, and other high-energy pulse circuit applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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