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RoHS準拠

IRFS59N10D

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
データシート
パッケージ

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IRFS59N10D
IRFS59N10D
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    59 A
  • Ptot max
    200 W
  • Qgd
    36 nC
  • QG (typ @10V)
    76 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    25 mΩ
  • RthJC max
    0.5 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    4.25 V
  • VGS max
    30 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
IRFS59N10DPBF
製品ステータス obsolete
インフィニオンパッケージ
D2PAK
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス obsolete
インフィニオンパッケージ
D2PAK
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

利点

  • RoHS Compliant
  • Industry-leading quality
  • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
  • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses
  • Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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