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生産終了
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IRFNG50

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データシート
パッケージ

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IRFNG50
IRFNG50
データシート

Product details

  • ID (@100°C) max
    3.5 A
  • ID (@25°C) max
    5.5 A
  • RDS (on) (@25°C) max
    2000 mΩ
  • VBRDSS min
    1000 V
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • パッケージ
    SMD-1
  • 極性
    N
OPN
IRFNG50EPSA1
製哝ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ坝 SMD-1 standard
包装サイズ 1
包装形態 TRAY
水分レベル 1
モイスポャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製哝ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ坝 SMD-1 standard
包装サイズ 1
包装形態 TRAY
水分レベル 1
モイスポャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
IRFNG50 is a high reliability, 1000V, single, N-channel MOSFET in a SMD-1 package. It utilizes HEXFET MOSFET technology to achieve low on-state resistance, high transconductance, and superior reverse energy and diode recovery dv/dt capability. Ideal for power supplies, motor controls, choppers, audio amplifiers, and other high-energy pulse circuit applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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