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IRFNG50
生産終了
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IRFNG50

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IRFNG50
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製品仕様情報

  • ID (@100°C) (最大)
    3.5 A
  • ID (@25°C) (最大)
    5.5 A
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    2000 mΩ
  • VBRDSS (最小)
    1000 V
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • パッケージ
    SMD-1
  • 極性
    N

OPN
IRFNG50EPSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 SMD-1 standard
梱包サイズ 1
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 SMD-1 standard
梱包サイズ 1
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRFNG50 is a high reliability, 1000V, single, N-channel MOSFET in a SMD-1 package. It utilizes HEXFET MOSFET technology to achieve low on-state resistance, high transconductance, and superior reverse energy and diode recovery dv/dt capability. Ideal for power supplies, motor controls, choppers, audio amplifiers, and other high-energy pulse circuit applications.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ