IRFHM4231

25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package
データシート

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IRFHM4231
IRFHM4231
データシート

製品仕様情報

  • ID (@ TA=25°C) (最大)
    22 A
  • ID (最大)
    46 A
  • ID (@ TC=25°C) (最大)
    72 A
  • ID (@ TC=100°C) (最大)
    46 A
  • Ptot (最大)
    29 W
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2.7 W
  • Qgd
    3.6 nC
  • QG
    9.7 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    3.4 mΩ
  • RDS (on) (最大)
    3.4 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    4.6 mΩ
  • RthJC (最大)
    4.3 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    25 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3 x 3.3
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

利点

  • Low Charge (typical 9.7nC)
  • Low RDSon (less than 3.4 mOhms)
  • Low Thermal Resistance to PCB (less than 4.3°C/W)
  • Low Profile (less than 0.9mm)
  • Industry-Standard Pinout
  • Compatible with Existing Surface Mount Techniques
  • RoHS Compliant, Halogen-Free
  • MSL1, Industrial Qualification
  • FastIRFET™

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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