IRFH7190

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5 x 6 B/E package
データシート

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRFH7190
IRFH7190
データシート

製品仕様情報

  • ID (@ TC=100°C) max
    52 A
  • ID (@ TA=25°C) max
    15 A
  • ID max
    52 A
  • ID (@ TC=25°C) max
    82 A
  • Ptot max
    104 W
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    3.6 W
  • Qgd
    8.3 nC
  • QG
    26 nC
  • RDS (on) max
    7.5 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    7.5 mΩ
  • RthJC max
    1.2 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    100 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    PQFN 5 x 6 B
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

利点

  • Low RDS(ON) (less than 7.5mOhms) results in Lower Conduction Losses
  • Internal Snubber results in Reduced Vds Spike, Improved EMI
  • Low Thermal Resistance to PCB (less than 1.2°C/W) results in Increased Power Density
  • 100% Rg Tested results in Increased Reliability
  • Low Profile (less than 1.05 mm) results in Increased Power Density
  • Industry-Standard Pinout results in Multi-Vendor Compatibility
  • Compatible with Existing Surface Mount Techniques results in Easier Manufacturing
  • RoHS Compliant, Halogen-Free results in Environmentally Friendlier
  • MSL1 results in Increased Reliability
  • FastIRFET™

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }