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生産終了
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RoHS準拠

IRFB31N20D

生産終了
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package
データシート
パッケージ

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IRFB31N20D
IRFB31N20D
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    31 A
  • Ptot (最大)
    200 W
  • Qgd
    33 nC
  • QG (typ @10V)
    70 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    82 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.75 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    200 V
  • VGS(th) (範囲)
    3 V ～ 5.5 V
  • VGS(th)
    4.25 V
  • VGS (最大)
    30 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
IRFB31N20DPBF
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

利点

  • RoHS Compliant
  • Industry-leading quality
  • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
  • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses
  • Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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