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IRF8910
生産終了
生産終了
RoHS対応
鉛フリー

IRF8910

生産終了
20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
データシート
パッケージ

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IRF8910
IRF8910
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    10 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2 W
  • Qgd (typ)
    2.5 nC
  • QG (typ @4.5V)
    7.4 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    13.4 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    18.3 mΩ
  • RthJA (最大)
    62.5 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    20 V
  • VGS(th) 範囲
    1.65 V～2.55 V
  • VGS(th)
    2.1 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.3
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 極性
    N+N, N+N

OPN
IRF8910TRPBF
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
組立国
PH,TH
ウェハ製造国
IL

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
PH,TH
ウェハ製造国
IL

利点

  • RoHS Compliant
  • Low RDS(on)
  • Low RDS(ON) at 4.5V VGS
  • Ultra-Low Gate Impedance
  • Dual N-Channel MOSFET

アプリケーション

通信インフラ
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ