IRF8306M

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode in a DirectFET MX package rated at 23 amperes optimized with low on resistance.
データシート

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IRF8306M
IRF8306M
データシート

Product details

  • ID (@ TC=25°C) max
    140 A
  • ID (@ TA=70°C) max
    18 A
  • ID (@ TA=25°C) max
    23 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2.1 W
  • Ptot max
    75 W
  • Qgd
    6.7 nC
  • QG
    25 nC
  • RDS (on) max
    2.5 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    3.6 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    2.5 mΩ
  • RthJC max
    1.66 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    30 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    DirectFET MX
  • マイクロステンシル
    IRF66MX-25
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Schottky (includes Schottky like and FETky)
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

利点

  • RoHS Compliant
  • Low Profile (less than 0.7 mm)
  • Dual Sided Cooling
  • Low Conduction Losses
  • Optimized for High Frequency Switching
  • Low Package Inductance
  • Integrated Monolithic Sckottky Diode

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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