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IRF7NA2907

データシート
パッケージ

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IRF7NA2907
IRF7NA2907
データシート

製品仕様情報

  • ID (@100°C) max
    75 A
  • ID (@25°C) max
    75 A
  • RDS (on) (@25°C) max
    4.5 mΩ
  • VBRDSS min
    75 V
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    High Reliability MOSFETs
  • 言語
    SPICE
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRF7NA2907 is a high reliability, 75V, single, N-channel MOSFET in a SMD-2 package. It utilizes HEXFET MOSFET technology to achieve low on-state resistance, high transconductance, and superior reverse energy and diode recovery dv/dt capability. Ideal for power supplies, motor controls, choppers, audio amplifiers, and other high-energy pulse circuit applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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