IRF7342PBF-1

IRF7342PBF-1

-55V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
データシート

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRF7342PBF-1
IRF7342PBF-1
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    -3.4 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2 W
  • Qgd (typ)
    8.4 nC
  • QG (typ @10V)
    26 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    105 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    170 mΩ
  • RthJA (最大)
    62.5 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    -55 V
  • VGS(th) (最小)
    -1 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 極性
    P+P
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }