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RoHS準拠
鉛フリー

IRF7313

30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
データシート
パッケージ

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IRF7313
IRF7313
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    6.5 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2 W
  • Qgd (typ)
    6.4 nC
  • QG (typ @10V)
    22 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    29 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    46 mΩ
  • RthJA max
    62.5 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    30 V
  • VGS(th) min
    1 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.23
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 極性
    N+N
推奨
OPN
IRF7313TRPBF
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

利点

  • RoHS Compliant
  • Low RDS(on)
  • Dynamic dv/dt Rating
  • Fast Switching
  • Dual N-Channel MOSFET

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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