アクティブ
RoHS準拠
鉛フリー

IRF7105

25V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
データシート
パッケージ
複数のパッケージが利用可能
EA.

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IRF7105
IRF7105
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    -2.3 A, 3.5 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2 W
  • Qgd (typ)
    3.1 nC, 2.8 nC
  • QG (typ @10V)
    10 nC, 9.4 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    250 mΩ, 100 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    400 mΩ, 160 mΩ
  • RthJA max
    62.5 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    -25 V, 25 V
  • VGS(th)
    1 V to 3 V, -1 V to -3 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.23
  • 極性
    N+P
推奨
OPN
IRF7105TRPBF IRF7105PBF
製品ステータス active obsolete
インフィニオンパッケージ
SO8
SO8
パッケージ名 SO-8 SO-8
包装サイズ 4000 3800
包装形態 TAPE & REEL TUBE
水分レベル 1 1
モイスチャーパッキン NON DRY NON DRY
鉛フリー Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS準拠 Yes Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり

製品ステータス obsolete
インフィニオンパッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
包装サイズ 3800
包装形態 TUBE
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

利点

  • RoHS Compliant
  • Low RDS(on)
  • Dynamic dv/dt Rating
  • Fast Switching
  • Dual N and P-Channel MOSFET

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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