IRF150DM115
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

IRF150DM115

150 V single N-channel OptiMOS™ MOSFET in DirectFET™ package
データシート
パッケージ

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IRF150DM115
IRF150DM115
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    60 A
  • QG (typ @10V)
    33 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    11.3 mΩ
  • VDS (最大)
    150 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～4.6 V
  • VGS(th)
    3.8 V
  • パッケージ
    DirectFET
  • 予算価格€/ 1k
    1.26
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～150 °C
  • 極性
    N

OPN
IRF150DM115XTMA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
DIRECTFET
パッケージ名 DirectFET (M)
梱包サイズ 4800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MX
ウェハ製造国
AT

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
DIRECTFET
パッケージ名 DirectFET (M)
梱包サイズ 4800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MX
ウェハ製造国
AT

特長

  • Double-side-cooled package
  • Low parasitic inductance
  • Low profile design
  • High current capability
  • 100% lead-free (no RoHS exemption)

利点

  • Enables designs with high power density
  • High efficiency
  • Minimized EMI
  • Optimized thermals
  • Board space reduction
  • Less device paralleling

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ