Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IRF150DM115

150 V single N-channel OptiMOS™ MOSFET in DirectFET™ package
データシート
パッケージ

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IRF150DM115
IRF150DM115
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) max
    60 A
  • QG (typ @10V)
    33 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    11.3 mΩ
  • VDS max
    150 V
  • VGS(th)
    3.8 V
  • パッケージ
    DirectFET
  • 予算価格€/ 1k
    1.26
  • 動作温度
    -40 °C to 150 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
IRF150DM115XTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
DIRECTFET
パッケージ名 DirectFET (M)
包装サイズ 4800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
DIRECTFET
パッケージ名 DirectFET (M)
包装サイズ 4800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

機能

  • Double-side-cooled package
  • Low parasitic inductance
  • Low profile design
  • High current capability
  • 100% lead-free (no RoHS exemption)

利点

  • Enables designs with high power density
  • High efficiency
  • Minimized EMI
  • Optimized thermals
  • Board space reduction
  • Less device paralleling

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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