新規設計は非推奨
RoHS準拠
鉛フリー

IR2111

600 V half-bridge gate driver IC with shoot through protection
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IR2111
IR2111
EA.
データシート

Product details

  • VBS UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    8.6 V
  • アイソレーション タイプ
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
  • コンフィギュレーション
    Half Bridge
  • チャネル
    2
  • 伝搬遅延オフ
    150 ns
  • 伝搬遅延オン
    750 ns
  • 入力 Vcc
    10 V to 20 V
  • 出力電流 (Source)
    0.25 A
  • 出力電流 (Sink)
    0.5 A
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    600 V
OPN
IR2111PBF
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PDIP8
パッケージ名 N/A
包装サイズ 3000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PDIP8
パッケージ名 -
包装サイズ 3000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
600 V Half Bridge Driver IC with typical 0.25 A source and 0.5 A sink currents in 8 Lead PDIP package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead SOIC.

機能

  • Floating channel for bootstrap op.
  • Fully operational to +600 V
  • Tolerant to neg. transient volt.
  • dV/dt immune
  • Gate drive supply: 10 V to 20 V
  • Undervol. lockout for both channels
  • CMOS Schmitt-triggered
  • Matched prop. delay for both chan.
  • Internally set deadtime
  • High side out. in phase with IN in.

用途

図

Circuit_Diagramm_IR2111
Circuit_Diagramm_IR2111
Circuit_Diagramm_IR2111 Circuit_Diagramm_IR2111 Circuit_Diagramm_IR2111
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