Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IR2010

200 V high-side and low-side gate driver IC with shutdown
データシート
パッケージ

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IR2010
IR2010
データシート

Product details

  • VBS UVLO (On)
    8.6 V
  • VBS UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    8.6 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • アイソレーション タイプ
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
  • コンフィギュレーション
    High-side and low-side
  • チャネル
    2
  • 伝搬遅延オフ
    65 ns
  • 伝搬遅延オン
    95 ns
  • 入力 Vcc
    10 V to 20 V
  • 出力電流 (Sink)
    3 A
  • 出力電流 (Source)
    3 A
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    200 V
推奨
OPN
IR2010PBF
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PDIP14
パッケージ名 N/A
包装サイズ 1500
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PDIP14
パッケージ名 -
包装サイズ 1500
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EiceDRIVER™ 200 V high and low side Gate Driver IC with typical 3 A source and 3 A sink currents in 14 Lead PDIP package for IGBTs and MOSFETs . Also available in 8 Lead SOICWB.

機能

  • Floating channel for bootstrap op.
  • Fully operational to 200 V
  • Tolerant to neg. transient volt.
  • dV/dt immune
  • Gate drive supply: 10 V to 20 V
  • Undervol. lockout for both channels
  • 3.3 V logic compatible
  • Seperate logic supply range
  • CMOS Schmitt-triggered inputs
  • Shutdown input turns off both chan.
  • Matched prop. delay for both chan.
  • Outputs in phase with inputs

図

Circuit_Diagramm_IR2010
Circuit_Diagramm_IR2010
Circuit_Diagramm_IR2010 Circuit_Diagramm_IR2010 Circuit_Diagramm_IR2010
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ドキュメント

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デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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