IQEH42NE2LM7ZCGSC
Active and preferred
RoHS対応

IQEH42NE2LM7ZCGSC

ハードスイッチングおよびソフトスイッチングトポロジー向けに最適化された、PQFN 3.3x3.3 パッケージ搭載、OptiMOS™ 7 25 VパワーMOSFETソースダウンパッケージ
データシート
パッケージ

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IQEH42NE2LM7ZCGSC
IQEH42NE2LM7ZCGSC
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    460 A
  • IDpuls (最大)
    1840 A
  • QG (typ @10V)
    63 nC
  • QG (typ @4.5V)
    29 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    0.42 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    0.57 mΩ
  • VDS (最大)
    25 V
  • VGS(th) 範囲
    1.1 V～1.7 V
  • VGS(th)
    1.4 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Logic Level, Soft-switching optimized, Dual-Side Cooling
推奨
OPN
IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-WHTFN-9
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 6000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-WHTFN-9
パッケージ名 -
梱包サイズ 6000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
OptiMOS™ 7 25 Vは、データ センター、サーバー、AIなどできわめて高い性能を発揮する、新次元のアプリケーション最適化を実現します。 製品ラインナップには、ハードスイッチング トポロジー、ソフトスイッチング トポロジーの2種類の技術をご利用いただけます。 ハードスイッチングに最適化された製品は、優れたミラー比、FOM、RDS(on) 10が特長です。一方、ソフトスイッチングに最適化された製品は、超低 RDS(on)45とFOMQgを提供します。

特長

  • ハードスイッチングとソフトスイッチングの最適化
  • ハードスイッチング最適化: ミラー比、FOM、RDS(on)10
  • ソフトスイッチング最適化: RDS(on)45,FOMQg
  • +175°C 接合部温度に対応
  • ソースダウンパッケージのバリエーション
  • センターゲート構造、両面放熱、オーバーモールド パッケージ

利点

  • アプリケーションのニーズに応じた最適化
  • 高い性能と効率
  • 高度な誘導ターンオン防止機能
  • ドライバ損失とスイッチング損失の低減
  • 導通損失の低減
  • 信頼性と電力密度の向上
  • 優れた熱特性
  • パッケージ寄生容量の削減
  • MOSFET の並列接続の簡素化
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ