IQE022N06LM5
Active and preferred
RoHS対応

IQE022N06LM5

OptiMOS™ 5 power MOSFET 60 V logic level in PQFN 3.3x3.3 Source-Down package
データシート
パッケージ

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IQE022N06LM5
IQE022N06LM5
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    151 A
  • IDpuls (最大)
    604 A
  • Ptot (最大)
    100 W
  • QG (typ @4.5V)
    26 nC
  • QG (typ @10V)
    53 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    2.2 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    2.9 mΩ
  • VDS (最大)
    60 V
  • VGS(th) 範囲
    1.1 V～2.3 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 予算価格€/ 1k
    0.96
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Logic Level
推奨
OPN
IQE022N06LM5ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSON-8
パッケージ名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSON-8
パッケージ名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IQE022N06LM5 is Infineon’s new best-in-class OptiMOS™ 5 power MOSFET 60 V logic level in PQFN 3.3x3.3 Source-Down package, offering the industry’s lowest on-state resistance RDS(on) at 25˚C and superior thermal performance. The OptiMOS™ Source-Down is a revolutionary technology with a flipped silicon die inside, offering several advantages such as better thermal capability, higher power density and improved layout possibilities. Combined with industrial standard PQFN 3.3x3.3 package, IQE022N06LM5 is targeted for high power density and performance SMPS products commonly found in telecom and data servers.

特長

  • Logic level for low Qrr&QOSS
  • Reduced RDS(on)by up to 30%
  • Reduced RthJC vs. existing PQFN
  • New, optimized layout possibilities

利点

  • Enabling highest power density
  • Superior thermal performance
  • Efficient layout for space use
  • Reduced PCB losses

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ