IQE020N04LM6CG
Active and preferred
RoHS対応

IQE020N04LM6CG

OptiMOS™ 6低電圧パワーMOSFET 40 V、PQFN 3.3x3.3最高の価格性能比を実現するソースダウン センターゲート パッケージ
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IQE020N04LM6CG
IQE020N04LM6CG
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    166 A
  • IDpuls (最大)
    664 A
  • Ptot (最大)
    107 W
  • QG (typ @10V)
    25 nC
  • QG (typ @4.5V)
    12.1 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    2.05 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    3 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.4 K/W
  • VDS (最大)
    40 V
  • VGS(th) 範囲
    1.3 V～2.3 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Logic Level
推奨
OPN
IQE020N04LM6CGATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TTFN-9
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TTFN-9
パッケージ名 -
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
IQE012N03LM5CG、OptiMOS™ 6 40 VパワーMOSFET、1.20 mOhm、革新的なPQFN 3.3x3.3ソースダウン センターゲートは、サーマル パッドを介してソース電位をPCBに直接接続するフリップ チップ設計を提供し、熱能力の向上、高度な電力密度、スペースが限られたPCB領域への容易な設計を可能にするセンターゲート フットプリントでのレイアウト可能性の向上など、いくつかの利点をもたらします。

特長

  • 拡張ゲート電圧定格
  • 温度定格175℃
  • 最高の価格性能比

利点

  • ゲート電圧オーバードライブ
  • Cgの高速充放電
  • 信頼性の向上
  • 高電力密度
  • 競争力のある価格
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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