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生産終了
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RoHS準拠

IPTG111N20NM3FD

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OptiMOS™ 3 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance
データシート
パッケージ

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IPTG111N20NM3FD
IPTG111N20NM3FD
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    108 A
  • IDpuls max
    432 A
  • Ptot max
    375 W
  • QG (typ @10V)
    65 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    11.1 mΩ
  • VDS max
    200 V
  • VGS(th)
    3 V
  • バッテリー電圧
    96-140 V
  • パッケージ
    TOLG (HSOG-8)
  • ピン数
    8 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    3.13
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
OPN
IPTG111N20NM3FDATMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-HSOG-8
パッケージ名 TOLG
包装サイズ 1800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-HSOG-8
パッケージ名 TOLG
包装サイズ 1800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The OptiMOS™ 3 power MOSFET 200 V IPTG111N20NM3FD comes in the improved TO-Leaded package with gullwing leads. With a compatible footprint to TO-Leadless, TOLG allows excellent electrical performance compared to D2PAK 7-pin with ~60 percent board space reduction, offers very low RDS(on) and is optimized to handle high current.

機能

  • Best in class technology
  • High current rating >300 A
  • Low ringing and voltage overshoot
  • 60% board space reduction
  • Gullwing leads

利点

  • High performance capability
  • High system reliability
  • High efficiency and lower EMI
  • Optimized board utilization
  • High thermal cycling on board handling

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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