IPTG039N15NM5
Active and preferred
RoHS対応

IPTG039N15NM5

OptiMOS™ 5 power MOSFET 150 V in TOLG package for higher thermal cycling on board performance
個.
在庫あり

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IPTG039N15NM5
IPTG039N15NM5
個.

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    190 A
  • ID (最大)
    190 A
  • IDpuls (最大)
    760 A
  • Ptot (最大)
    319 W
  • QG (typ @10V)
    74 nC
  • QG
    74 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    3.9 mΩ
  • RDS (on) (最大)
    3.9 mΩ
  • VDS (最大)
    150 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V~4.6 V
  • VGS(th)
    3.8 V
  • バッテリー電圧
    72-96 V
  • パッケージ
    TOLG (HSOG-8)
  • 予算価格€/ 1k
    2.54
  • 動作温度 範囲
    -55 °C~175 °C
  • 極性
    N
OPN
IPTG039N15NM5ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TOLG
梱包サイズ 1800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TOLG
梱包サイズ 1800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
The OptiMOS™ 5 power MOSFET 150 V IPTG039N15NM5 comes in the improved TO-Leaded package with gullwing leads. With a compatible footprint to TO-Leadless, TOLG allows excellent electrical performance compared to D2PAK 7-pin with ~60 percent board space reduction, offers very low RDS(on) and is optimized to handle high current.

特長

  • Best-in-class technology
  • High current rating
  • Low ringing and voltage overshoot
  • 60% board space reduction
  • Gullwing leads

利点

  • High performance capability
  • High system reliability
  • High efficiency and lower EMI
  • Optimized board utilization
  • High thermal cycling on board handling

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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