IPT60R145CFD7

IPT60R145CFD7

Infineon’s answer to resonant high power topologies
データシート

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IPT60R145CFD7
IPT60R145CFD7
データシート

製品仕様情報

  • ID (最大)
    19 A
  • ID (@25°C) (最大)
    19 A
  • IDpuls (最大)
    51 A
  • Ptot (最大)
    116 W
  • QG
    28 nC
  • QG (typ @10V)
    28 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    145 mΩ
  • RDS (on) (最大)
    145 mΩ
  • VDS (最大)
    600 V
  • VGS(th) 範囲
    3.5 V～4.5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • パッケージ
    TOLL
  • ピン数
    8 Pins
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
The 600V CoolMOS™ CFD7 is Infineon’s latest high-voltage superjunction MOSFET technology with integrated fast body diode, completing the CoolMOS™ 7 series. CoolMOS™ CFD7 comes with reduced gate charge (Qg), improved turn-off behavior and a reverse-recovery charge (Qrr) of up to 69% lower compared to the competition, as well as the lowest reverse recovery time (trr) in the market.

利点

  • Best-in-class hard commutation ruggedness
  • Highest reliability for resonant topologies
  • Highest efficiency with outstanding ease-of-use/performance trade-off
  • Enabling increased power density solutions
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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