IPT017N10NM5LF2
Active and preferred
RoHS対応

IPT017N10NM5LF2

OptiMOS™ 5 Single N-channel Linear FET 2 100 V, 1.7 mΩ, 321 A in TOLL package
データシート
パッケージ
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在庫あり

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IPT017N10NM5LF2
IPT017N10NM5LF2
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    321 A
  • QG (typ @10V)
    165 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.7 mΩ
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) 範囲
    2.3 V～3.9 V
  • VGS(th)
    3.1 V
  • パッケージ
    TOLL (HSOF-8)
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Wide SOA
推奨
OPN
IPT017N10NM5LF2ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
IPT017N10NM5LF2 is Infineon’s best-in-class OptiMOS™ 5 Linear FET 2 100 V in TO-Leadless (TOLL), offering the industry’s lowest RDS(on) and wide SOA at 25˚C. The combination of the OptiMOS™ 5 Linear FET 2 technology and the TOLL package, the IPT017N10NM5 is designed to provide highest power density, for inrush current protection applications such as hot-swap, e-fuse, and within battery protection in Battery management systems (BMS).

特長

  • Wide safe operating area (SOA)
  • Low RDS(on)
  • Lower IGSS compared to Linear FET
  • Optimized transfer characteristic

利点

  • Rugged linear mode operation
  • Low condition losses
  • Improved gate driver compatibility
  • Better current sharing
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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