IPT015N10NF2S
Active and preferred
RoHS対応

IPT015N10NF2S

StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 100 V in TOLL package
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IPT015N10NF2S
IPT015N10NF2S
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    315 A
  • IDpuls (最大)
    1260 A
  • Ptot (最大)
    300 W
  • QG (typ @10V)
    161 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.5 mΩ
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) 範囲
    2.2 V～3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • バッテリー電圧
    48-72 V
  • パッケージ
    TOLL (HSOF-8)
  • 予算価格€/ 1k
    1.51
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPT015N10NF2SATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 1800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 1800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 100 V features low RDS(on) of 1.5 mOhm, addressing a broad range of applications from low- to high-switching frequency.

特長

  • Availability from distribution partners
  • Excellent price/performance ratio
  • Ideal for high & low switching frequency
  • Industry standard footprint package
  • High current rating

利点

  • Multi-vendor compatibility
  • Right-fit products
  • Supports a wide variety of applications
  • Standard Pinout for Drop-In Replacement
  • Increased current carrying capability

アプリケーション

EV充電
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }