IPI530N15N3 G

データシート

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IPI530N15N3 G
IPI530N15N3 G
データシート

Product details

  • Ciss
    667 pF
  • Coss
    80 pF
  • ID (@25°C) max
    21 A
  • IDpuls max
    84 A
  • Ptot max
    68 W
  • QG (typ @10V)
    8.7 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    53 mΩ
  • Rth
    2.2 K/W
  • VDS max
    150 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    I2PAK (TO-262)
  • 予算価格€/ 1k
    0.64
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
The 150V OptiMOS™ achieves a reduction in R DS(on) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor. This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS™ part.

機能

  • Excellent switching performance
  • World’s lowest R DS(on)
  • Very low Qg and Qgd
  • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
  • RoHS compliant-halogen free
  • MSL1 rated 2

利点

  • Environmentally friendly
  • Increased efficiency
  • Highest power density
  • Less paralleling required
  • Smallest board-space consumption
  • Easy-to-design products

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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