IPI530N15N3 G

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データシート

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IPI530N15N3 G
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データシート

製品仕様情報

  • Ciss
    667 pF
  • Coss
    80 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    21 A
  • IDpuls (最大)
    84 A
  • Ptot (最大)
    68 W
  • QG (typ @10V)
    8.7 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    53 mΩ
  • Rth
    2.2 K/W
  • VDS (最大)
    150 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    I2PAK (TO-262)
  • 予算価格€/ 1k
    0.64
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
The 150V OptiMOS™ achieves a reduction in R DS(on) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor. This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS™ part.

特長

  • Excellent switching performance
  • World’s lowest R DS(on)
  • Very low Qg and Qgd
  • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
  • RoHS compliant-halogen free
  • MSL1 rated 2

利点

  • Environmentally friendly
  • Increased efficiency
  • Highest power density
  • Less paralleling required
  • Smallest board-space consumption
  • Easy-to-design products

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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