IPD19DP10NM
アクティブ
RoHS対応

IPD19DP10NM

P-channel MOSFETs in normal level, reducing design complexity in medium and low power applications
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IPD19DP10NM
IPD19DP10NM
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    -13.7 A
  • ID (最大)
    -13.7 A
  • IDpuls (最大)
    -55 A
  • Ptot (最大)
    83 W
  • QG
    -36 nC
  • QG (typ @10V)
    -36 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    186 mΩ
  • RDS (on) (最大)
    186 mΩ
  • VDS (最大)
    -100 V
  • VGS(th) 範囲
    -2 V～-4 V
  • パッケージ
    DPAK (TO-252)
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.41
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    P
推奨
OPN
IPD19DP10NMATMA1
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
OptiMOS™ P-Channel MOSFET 100 V in DPAK package targeting battery management, load switch and reverse polarity protection applications, reducing design complexity in medium and low power applications. Easy interface to MCU, fast switching as well as avalanche ruggedness makes it suitable for high quality demanding applications. Available in normal level featuring a wide RDS(on) range and improves efficiency at low loads.

特長

  • Available in 4 different packages
  • Wide RDS(on)range
  • Normal level & logic level availability
  • Optimized for a wide range applications
  • Availability from distribution partners

利点

  • Industry standard package
  • Ideal for high & low switching frequency
  • Avalanche ruggedness
  • Easy interface to MCU
  • Higher efficiency at low loads, low Qf
  • Reduced design complexity
  • Energy efficiency

アプリケーション

無停電電源装置 (UPS)
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ